Integrieren Sie die weltweit einzigartige ADC-Technologie in den Kernprozess Ihrer SMD-Linien. Mit ADC werden alle Leiterplatten in Ihren SMD-Prozessen in Reinraumqualität dem Lotpastendruck zugeführt.
ADC-Technologie ist die berührungslose antistatische Reinigung von Leiterplatten während des Transportes mit dem 3-Phasen-System:
Damit wird der gesamte SMD-Prozess wesentlich verbessert, für Bestückung mit µBGA, 0201 und 0402 Bauelemente unverzichtbar.
Das Ladungspotential der Leiterplatte wird ermittelt und neutralisiert
berührungslose antistatische Reinigung in der Zuführung zum Lotpastendrucker
mittels optischer Leiterplatteninspektion wird die Reinheit kritischer Bereiche der Leiterplatte automatisch geprüft und bewertet
Die Herausforderung
Die Strukturen moderner SMD-Bauelemente werden immer feiner, die Bestückungsdichte wird immer höher. Um zuverlässige Lötstellen zu erreichen, werden an den Lotpastendruck hohe Anforderungen gestellt. Beim Lotpastendruck führen die mikroskopisch kleinen Staub-Partikel zu einer Störung der Benetzung und somit in der Folge zu Fehlern im Lötprozess. Infolge dessen steigen die Kosten durch Ausschuss oder Reparatur. Ganz zu Schweigen von späten Ausfällen durch „kalte“ Lötstellen.
Wir haben ADC in unsere Prozesse integriert!
Der Ansatz des ADC ist die Bereitstellung eines lokal begrenzten, elektroststisch neutralisierten Reinraumes in dem die wesentlichen qualitätsentscheidenden Fertgungsprozesse statt finden. So stellen wir die zuverlässige Reinigung von Leiterplatten direkt in der Zuführung zum Lotpastendruck sicher. Die Reinigung erfolgt berührungslos. Eine sensorgeführte Ionisierung sorgt dafür, dass nach der Ladungsneutralisierung die Staubpartikel während des Transports von der Leiterplatte gesaugt werden können. Durch einen abgeschirmten Transport der staubfreien Leiterplatte vom Lotpastendrucker zum Bestückungsautomaten wird die Wiederverschmutzung verhindert.
Das Ergebnis sind Leiterplatten in Reinraumqualität!
Antistatic Dedusting Conveyor für die berührungslose Reinigung von Leiterplatten zum Prozessbeginn